一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法

专利号：CN201610833270.X

公布日：2019-12-06

申请人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

一种纳米栅结构及其制备方法和应用

专利号：CN202011269807.7

公布日：2022-05-13

申请人：中国科学院物理研究所

提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法

专利号：CN201210112494.3

公布日：2013-10-30

申请人：中国科学院微电子研究所

一种全介质隔离硅磁敏三极管

专利号：CN202120762528.8

公布日：2021-11-05

申请人：黑龙江大学

空气介质隔离层、副水箱及车辆

专利号：CN201820963569.1

公布日：2019-03-22

申请人：北汽福田汽车股份有限公司

一种隔离型沟槽MOS器件及其制备方法

专利号：CN202211159112.2

公布日：2023-01-10

申请人：深圳芯能半导体技术有限公司

一种用于原子荧光的顺序注射蒸气发生进样系统

专利号：CN201810069537.1

公布日：2023-09-26

申请人：北京海光仪器有限公司

一种用于原子荧光的顺序注射蒸气发生进样系统

专利号：CN201820118861.3

公布日：2018-11-20

申请人：北京海光仪器有限公司

半导体器件及其制备方法、系统

专利号：CN202210614790.7

公布日：2022-09-09

申请人：长江存储科技有限责任公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202110863309.3

公布日：2023-02-03

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

双极晶体管的制作方法

专利号：CN201711397397.2

公布日：2020-08-28

申请人：南京溧水高新创业投资管理有限公司

半导体器件

专利号：CN201820484919.6

公布日：2018-10-16

申请人：睿力集成电路有限公司

一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN03131044.3

公布日：2003-10-22

申请人：北京大学

用于可靠介质密封的凝胶填充的端口压力传感器

专利号：CN201710947198.8

公布日：2021-04-13

申请人：霍尼韦尔国际公司

一种硅基间接加热型相变射频开关

专利号：CN202310329655.2

公布日：2023-06-13

申请人：中国人民解放军国防科技大学